IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А с встроенным диодом
150 ₴
- Готово к отправке
- Код: IN 633764
IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А с встроенным диодом
Мощный IGBT транзистор FGA25N120 в корпусе TO-3P предназначен для работы в схемах инверторов, источников питания, преобразователей частоты и другой силовой электроники. Отличается высокой надежностью, возможностью работы с большими токами и напряжениями, а также наличием встроенного быстрого диода.
Подходит для использования в промышленных и бытовых устройствах: сварочные аппараты, блоки питания, ИБП, преобразователи напряжения, зарядные станции и другое оборудование.
Преимущества:
-
Высокое рабочее напряжение до 1200 В
-
Максимальный ток коллектора 25 А
-
Встроенный быстрый диод для защиты и повышения надежности
-
Корпус TO-3P для эффективного отвода тепла
-
Универсальное применение в силовой электронике
Характеристики:
-
Тип: IGBT транзистор
-
Модель: FGA25N120 / 25N120
-
Корпус: TO-3P
-
Максимальное напряжение: 1200 В
-
Максимальный ток: 25 А
-
Встроенный диод: есть
| Основные | |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Ключевые слова | Чип FGA25N120,25N120,TO-3P,Транзистор IGBT,транзистор 1200В 25А +диод |
- Цена: 150 ₴